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西安智盈電氣科技有限公司

半導體 分立器件測試設備

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產品分類

詳細信息

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系統概述:

設備的擴展性強,通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A。采用了脈沖測試法,脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務。系統采用帶有開爾文感應結構的測試插座,自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結果準確可靠。

 

基礎配置:

技術參數

ENJ2005-A型

ENJ2005-B型

主極電壓

10mV-2000V

10mV-2000V

主極電流

100nA-50A

100nA-50A

擴展電流

100A、200A、400A、500A

250A、500A、750A、1000A、1250A

電壓分辨率

1mV

1mV

電流分辨率

100nA

10nA(可擴展至10pA)

測試精度

0.5% 2LSB

0.2% 2LSB

測試速度

0.5mS/參數Parameter

0.5mS/參數Parameter

 

測試范圍:

測試器件

二極管  /  DIODE

絕緣柵雙較大功率晶體管  /  IGBT

晶體管  /  NPN型/PNP型

MOS場效應管  /  MOS-FET

J型場效應管  /  J-FET

可控硅  /  SCR

雙向可控硅  /  TRIAC

達林頓列陣  /  DRALINTON

光電耦合  /  OPTO-COUPLER

穩(wěn)壓、齊納二極管  /  ZENER

三端穩(wěn)壓器  /  REGULATOR

雙向觸發(fā)二極管  /  DIAC

 

硅觸發(fā)可控硅  /  STS

 

光電開關  /  OPTO-SWITCH

 

光電邏輯  /  OPTO-LOGIC

 

金屬氧化物壓變電阻  /  MOV

 

固態(tài)過壓保護器  /  SSOVP

 

壓變電阻  /  VARISTOR

 

繼電器  /  RELAY

 

測試參數:

漏電參數:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

擊穿參數:BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VDBVCBOVDRMVRRM  VBBBVRVD VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSSBVGKO

增益參數:hFE、CTR、gFS

導通參數:VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合參數:RdsonGfsInput Regulation、Output Regulation

關斷參數:VGSOFF

觸發(fā)參數:IGT、VGT

保持參數:IH、IH 、IH-

鎖定參數:IL、IL 、IL-

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