產(chǎn)品分類
詳細信息
系統(tǒng)概述：
設(shè)備的擴展性強，通過選件可提高電流、電壓以及測試品種的范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A。采用了脈沖測試法，脈沖寬度為美軍規(guī)定的300uS。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條件點擊即可完成測試任務(wù)。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座，自動補償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。
基礎(chǔ)配置：
|
技術(shù)參數(shù) |
ENJ2005-A型 |
ENJ2005-B型 |
|
主極電壓 |
10mV-2000V |
10mV-2000V |
|
主極電流 |
100nA-50A |
100nA-50A |
|
擴展電流 |
100A、200A、400A、500A |
250A、500A、750A、1000A、1250A |
|
電壓分辨率 |
1mV |
1mV |
|
電流分辨率 |
100nA |
10nA(可擴展至10pA) |
|
測試精度 |
0.5% 2LSB |
0.2% 2LSB |
|
測試速度 |
0.5mS/參數(shù)Parameter |
0.5mS/參數(shù)Parameter |
測試范圍：
|
√ |
√ |
測試器件 |
|
√ |
√ |
二極管 / DIODE |
|
√ |
√ |
絕緣柵雙較大功率晶體管 / IGBT |
|
√ |
√ |
晶體管 / NPN型/PNP型 |
|
√ |
√ |
MOS場效應(yīng)管 / MOS-FET |
|
√ |
√ |
J型場效應(yīng)管 / J-FET |
|
√ |
√ |
可控硅 / SCR |
|
√ |
√ |
雙向可控硅 / TRIAC |
|
√ |
√ |
達林頓列陣 / DRALINTON |
|
√ |
√ |
光電耦合 / OPTO-COUPLER |
|
√ |
√ |
穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
|
√ |
√ |
三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
|
√ |
√ |
雙向觸發(fā)二極管 / DIAC |
|
|
√ |
硅觸發(fā)可控硅 / STS |
|
|
√ |
光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
|
|
√ |
光電邏輯 / OPTO-LOGIC |
|
|
√ |
金屬氧化物壓變電阻 / MOV |
|
|
√ |
固態(tài)過壓保護器 / SSOVP |
|
|
√ |
壓變電阻 / VARISTOR |
|
|
√ |
繼電器 / RELAY |
測試參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300uS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM VBB、BVR、VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、SAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、Notch=IGT1、IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數(shù)：Rdson、Gfs、Input Regulation、Output Regulation
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH 、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL 、IL-
