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GEIC695CPE310
降低少子壽命雖能有效地縮短關(guān)斷電流的過程,卻導(dǎo)致器件導(dǎo)通期正向壓降的增加。因此必須兼顧轉(zhuǎn)換速度和器件通態(tài)功率損耗的要求。80年代這類器件的最高工作頻率在 10千赫以下。雙極型大功率晶體管可以在100千赫頻率下工作,其控制電流容量已達(dá)數(shù)百安,阻斷電壓1千多伏,但維持通態(tài)比其他功率可控器件需要更大的基極驅(qū)動電流。由于存在熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象,限制它的抗浪涌能力。進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管, 由于不受少子儲存效應(yīng)的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作
GEIC695CPE310
IC695CPU310
IC695CPU315
IC695ETM001
IC695HSC304
IC695HSC308
IC695LRE001
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IC695PMM335
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IC695PSA040
IC695PSA140
IC695PSD040
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IC697BEM731
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IC697CPX935
IC697MDL241
IC697MDL653
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IC697MDL750
IC697PWR711
IC697RCM711
IC697VRD008
IC697空殼模塊
IC698ACC735
IC698CHS009
IC698CPE010
IC698CPE030
IC698CPE040
IC698CRE030
IC698CRE030
IC698ETM001
IC698ETM001
IC698PSA100
IC698PSD300
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IC754VSI06STD
IC754VSI12CTD
IC754VSL06CTD
JJR2132
JJR2320KW
JJR5250 JJR5-250KW
M27C256B-10B6
MVI69-MNET