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武漢普賽斯儀表有限公司

MOS管電性能分析SMU數(shù)字源表

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MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是 一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件,可 以 廣 泛 應(yīng) 用 在 模 擬 電 路 和 數(shù) 字 電 路 當(dāng) 中 。 MOSFET可以由硅制作,也可以由石墨烯,碳納米管等材料制作,是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有 輸 入 / 輸 出 特 性 曲 線、閾 值 電 壓 VGS(th)、漏 電 流 IGSS、 IDSS,擊穿電壓VDSS、低頻互導(dǎo)gm、輸出電阻RDS等。MOS管電性能分析SMU數(shù)字源表就找普賽斯儀表,詳詢18140663476


受器件結(jié)構(gòu)本身的影響,在實(shí)驗(yàn)室科研工作者或者測(cè)試工程師常見(jiàn)會(huì)碰到以下測(cè)試難題:

(1)由于MOSFET是多端口器件,所以需要多個(gè)測(cè)量模塊協(xié)同測(cè)試,而且MOSFET動(dòng)態(tài)電流范圍大,測(cè)試時(shí)需要量程范圍廣,測(cè)量模塊的量程需要可以自動(dòng)切換;

(2)柵氧的漏電與柵氧質(zhì)量關(guān)系極大,漏電增加到 一定程度即可構(gòu)成擊穿,導(dǎo)致器件失效,因此MOSFET 的漏電流越小越好,需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測(cè)試;

(3)隨著MOSFET特征尺寸越來(lái)越小,功率越來(lái)越大,自加熱效應(yīng)成為影響其可靠性的重要因素,而脈沖測(cè)試可以 減少自加熱效應(yīng) ,利 用 脈沖模式進(jìn)行MOSFET的I-V測(cè)試可以準(zhǔn)確評(píng)估、表征其特性;

(4)MOSFET的電容測(cè)試非常重要,且與其在高頻 應(yīng)用有密切關(guān)系。不同頻率下C-V曲線不同,需要進(jìn)行多頻率、多電壓下的C-V測(cè)試,表征MOSFET的電容特性。

 

使用普賽斯S系列高精度數(shù)字源表、P系列高精度臺(tái)式脈沖源表對(duì)MOSFET常見(jiàn)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試。


輸入/輸出特性測(cè)試

MOSFET是用柵電壓控制源漏電流的器件,在某一固定漏源電壓下,可測(cè)得一條IDs~VGs關(guān)系曲線,對(duì)應(yīng)一組階梯漏源電壓可測(cè)得一簇直流輸入特性曲線。 MOSFET在某一固定的柵源電壓下所得IDS~VDS 關(guān)系即為直流輸出特性,對(duì)應(yīng)一組階梯柵源電壓可測(cè)得一簇輸出特性曲線。 根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同,MOSFET器件的功率規(guī)格也不一致。針對(duì)1A以下的MOSFET器件,推薦2臺(tái)S系列源表搭建測(cè)試方案,最大電壓300V,最大電流1A, 最小電流100pA,可以滿足小功率MOSFET測(cè)試的需求。


針對(duì)最大電流為1A~10A的MOSFET功率器件,推 薦采用2臺(tái)P系列脈沖源表搭建測(cè)試方案,其最大電壓 300V,最大電流10A。

針對(duì)最大電流為10A~100A的MOSFET功率器件, 推薦采用P系列脈沖源表+HCP搭建測(cè)試方案,最大電流高達(dá)100A。

閾值電壓VGS(th)

VGS(th)是指柵源電壓能使漏極開(kāi)始有電流的VG S 值;測(cè)試儀表推薦S系列源表。

漏電流測(cè)試

 IGSS(柵源漏電流)是指在特定的柵源電壓情況下 流過(guò)柵極的漏電流;IDSS(零柵壓漏極電流)是指在當(dāng) VGS=0時(shí),在指定的VDS下的DS之間漏電流,測(cè)試時(shí)推 薦使用一臺(tái)普賽斯S系列或P系列源表;


耐壓測(cè)試

VDSS(漏源擊穿電壓):是指在VGS=0的條件下,增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS值; 根據(jù)器件的規(guī)格不同,其耐壓指標(biāo)也不一致,測(cè)試所需的儀表也不同,擊穿電壓在300V以下推薦使用S系列臺(tái)式源表或P系列脈沖源表,其最大電壓300V,擊穿電壓在300V以上的器件推薦使用E系列,最大電壓3500V。



C-V測(cè)試

C-V測(cè)量常用于定期監(jiān)控集成電路的制造工藝,通過(guò)測(cè)量MOS電容高頻和低頻時(shí)的C-V曲線,可以得到 柵氧化層厚度tox、氧化層電荷和界面態(tài)密度Dit、平帶電壓Vfb、硅襯底中的摻雜濃度等參數(shù)。 分別測(cè)試Ciss(輸入電容)、Coss(輸出 電容)以及Crss(反向傳輸電容)。


MOS管電性能分析SMU數(shù)字源表詳詢一八一四零六六三四七六;武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家,產(chǎn)品系列豐富:產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,產(chǎn)品已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn),市場(chǎng)應(yīng)用率高;SXXB系列高精度數(shù)字源表,相比于傳統(tǒng)S系列源表,直流更大、精度更高、準(zhǔn)確度提升至±0.03%,直流電流升級(jí)至3A,PX00B系列蕞大脈沖輸出電流達(dá)30A,蕞大輸出電壓達(dá)300V,支持四象限工作,可為半導(dǎo)體行業(yè)提供更加精準(zhǔn)、穩(wěn)定的測(cè)試方

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